Síntesis y caracterización de semiconductores de TiO2 impurificado con disprosio potencialmente aplicables en dispositivos activos

Abstract

Este trabajo de tesis se basa en la realización de la síntesis para la obtención de dióxido de Titanio (TiO₂) con y sin impurezas de Disprosio (Dy), en porcentajes atómicos de 0.5, 2.5 y 5.0 % haciendo uso del método de depósito a partir de sistemas híbridos (DVQSIH) mediante dos distintos tratamientos térmicos, pudiendo así caracterizar sus propiedades químicas, ópticas y morfológicas, potencialmente aplicables en dispositivos activos. Los resultados de la técnica DRX mostraron la presencia de la fase anatasa, una de las tres fases más estudiadas respecto al polimorfismo que presenta en TiO₂. Las imágenes obtenidas por microscopía electrónica de barrido mostraron una formación de estructuras características de la fase anatasa en forma dipiramidal, también fibras agrupadas en forma de erizos de mar, las cuales para el primer tratamiento aumentan la cantidad de formación de estructuras dipiramidales con el incremento de la concentración atómica de impurezas, a diferencia con el segundo tratamiento térmico, que incrementa la formación de fibras. Los materiales sintetizados respondieron con una transmitancia entre 75 y 80%, con esto aproximando un valor de ancho de banda prohibida de 3.13 a 3.2 eV.