Simulación de una estructura pseudo-MOSFET a base de ZnO

MARTÍNEZ MORENO, ÁNGEL MARTÍN

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Metadado	Valor	Lengua/Idioma
dc.contributor.author	MARTÍNEZ MORENO, ÁNGEL MARTÍN
dc.creator	MARTÍNEZ MORENO, ÁNGEL MARTÍN;-MAMA970216HSLRRN03
dc.date.issued	44804
dc.identifier.isbn	2302328
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/20.500.12984/8282	-
dc.description	Tesis de maestría en ciencias en electrónica
dc.description.abstract	En este proyecto de tesis, se presenta la simulación de un transistor pseudo-MOSFET de película delgada (TFT por sus siglas en inglés). Utilizando como capa activa óxido de zinc, empleando el software COMSOL MULTIPHYSICS en 2D y 3D. Con una estructura de transistor de contactos superiores y compuerta inferior (Bottom- Gate Top-Contact). Los materiales utilizados fueron, sustrato de silicio, contactos de aluminio y como dieléctrico de compuerta se utilizó el óxido de hafnio, óxido de aluminio y óxido de silicio. A través de la simulación se obtuvo el variante más óptimo de transistor con el fin de ahorrar recursos y tiempo del laboratorio.
dc.description.sponsorship	Universidad de Sonora. División de Ciencias Exactas y Naturales, 2022
dc.format	PDF
dc.language	Español
dc.language.iso	spa
dc.publisher	Universidad de Sonora
dc.rights	openAccess
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classification	SIMULACIÓN
dc.subject.lcc	TK7871.96.T45.M37
dc.subject.lcsh	Transistores de películas delgadas
dc.subject.lcsh	Simulacion por computadora
dc.title	Simulación de una estructura pseudo-MOSFET a base de ZnO
dc.type	Tesis de maestría
dc.contributor.director	GÓMEZ FUENTES, ROBERTO; 41532
dc.degree.department	Departamento de Investigación en Física
dc.degree.discipline	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.degree.grantor	Universidad de Sonora. Campus Hermosillo
dc.degree.level	Maestría
dc.degree.name	Maestría en ciencias en electrónica
dc.identificator	120326
dc.type.cti	masterThesis
Aparece en las colecciones:	Maestría